Name: A2G35S200-01SR3
Brand: NXP Semiconductors
SKU: A2G35S200-01SR3
Rating: 5.0 (99 reviews)

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Parte di u fabricatore: A2G35S200-01SR3

U fabricatore: NXP Semiconductors

Descrizzione: AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR

categuria: prudutti semiconduttori discreti

Famiglia: transistors - fets, mosfets - rf

Serie: -

In magazinu: 182

Datasheets in linea: A2G35S200-01SR3 PDF

A2G35S200-01SR3 Avvisu

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serie:-
pacchettu:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
statutu di parte:Active
tipu di transistor:GaN HEMT
frequenza:3.4GHz ~ 3.6GHz
guadagnà:16.1dB
tensione - prova:48 V

valutazione attuale (ampere):-
figura di rumore:-
currente - prova:291 mA
putenza - output:180W
voltage - valutatu:125 V
pacchettu / casu:NI-400S-2S
pacchettu di u dispusitivu di u fornitore:NI-400S-2S

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